Оперативна пам'ять Micron 32GB SODIMM DDR5 5600MHz (MTC16C2085S1SC56BD1) Б/В

Оперативна пам'ять Micron 32GB SODIMM DDR5 5600MHz (MTC16C2085S1SC56BD1) — це професійне рішення для максимальної продуктивності ноутбуків, компактних ПК та робочих станцій. Виконана у форм-факторі SO-DIMM, ця пам'ять забезпечує серверний рівень надійності та високі швидкості передачі даних, що критично важливо для роботи з вимогливими додатками, об'ємними базами даних та сучасними іграми.

Завдяки використанню передової архітектури DDR5, модуль пропонує вдвічі більшу пропускну здатність у порівнянні з попереднім поколінням, а значний обсяг у 32 ГБ дозволяє забути про нестачу ресурсів навіть при багатозадачному навантаженні.

Чому варто обрати саме цю пам'ять:

• Висока пропускна здатність: Частота 5600 МГц забезпечує блискавичну обробку даних, що особливо помітно у відеоредакторах, 3D-моделюванні та іграх з відкритим світом.
• Енергоефективність та стабільність: Напруга живлення всього 1.1 В дозволяє зменшити енергоспоживання порівняно з DDR4, що позитивно впливає на час автономної роботи ноутбука та нагрівання компонентів.
• Оптимізована архітектура: Розділення 32-бітних підканалів (Dual Sub-Channel) забезпечує ефективніший доступ до пам'яті та зменшує затримки порівняно з попередніми поколіннями.
• Надійність Micron: Оригінальні чіпи виробництва Micron (одного з провідних світових виробників напівпровідників) гарантують стабільну роботу, сувору відповідність специфікаціям JEDEC та довговічність.
• Підвищення продуктивності iGPU: Висока частота DDR5 значно покращує графічну продуктивність процесорів із вбудованою відеокартою, роблячи ігри та відео більш плавними.
• Форм-фактор SO-DIMM: Ідеально підходить для апгрейду сучасних ноутбуків, моноблоків, міні-ПК та компактних материнських плат формату Mini-ITX з підтримкою DDR5.

Перехід на Micron 32GB DDR5 — це інвестиція в швидкість роботи вашої системи на роки вперед. Встановіть цей модуль, і ви одразу помітите прискорення завантаження додатків, плавність роботи та відсутність "гальм" при інтенсивному навантаженні.