Samsung DDR3 - модуль памяти состоящий из 1 планки объемом 4 Гб, имеет 2 ранга и может работать на всех платформах AMD и Intel. Тактовая частота составляет 1333Мгц, эффективная пропускная способность 10600 Мб/с. Схема тайминга памяти CL9. Обратите внимание, что данная модель имеет 2 ранга и будет работать на материнских платах с сокетом s775. Вся оперативная память в нашем магазине протестирована программой Memtest86.. Комплектация "tray". Состояние Б/У.
Информация о технических характеристиках, комплектации, составе, стране изготовления, внешнем виде товара и т.п. носит справочный характер и основывается на последних доступных сведениях от производителя. Для уточнения информации о товаре можно обратиться в колл-центр Продавца или Сайта.